63-4866-63 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 55 V 3.4 A、4.7 A 8 ピン パッケージSOIC IRF7343PBF
[Infineon] IRF7343PBF Dual N/P-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
特徴
- デュアルN/PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
- InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET（R）デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
- さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：3.4 A、4.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：50 mΩ, 105 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1V
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2W
- 動作温度 Min：-55°C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-1770
