特徴
- PチャンネルMOSFET、100→400 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：11 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：500 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125000mW
- 高さ：9.01mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-1118
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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