特徴
- NチャンネルMOSFET、100→150 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：540 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：HVMDIP
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.3W
- 標準ターンオフ遅延時間：15 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-1039
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|