63-4866-17 Pチャンネル パワーMOSFET 100 V 14 A 3 ピン パッケージTO-220AB IRF9530NPBF
[Infineon] IRF9530NPBF P-Channel MOSFET, 14 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
特徴
- PチャンネルパワーMOSFET 100 V→150 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：14 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：79W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-0828
