63-4866-16　Pチャンネル　パワーMOSFET　55　V　19　A　3　ピン　パッケージTO-220AB　IRF9Z34NPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　40→55　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：19　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：55V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：100　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：TO-220AB
• 実装タイプ：スルーホール
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：68W
• 動作温度mAx：+175°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：541-0806