63-4865-94　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　100　V　10　A　3　ピン　パッケージDPAK　（TO-252）　IRLR120NPBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　100　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。
• さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：10　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：185　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-16V,　+16V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：48000mW
• 標準ターンオフ遅延時間：23　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：541-0222