63-4865-86 Nチャンネル パワーMOSFET 200 V 18 A 3 ピン パッケージTO-220AB IRF640NPBF
[Infineon] IRF640NPBF N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET 150→600 V、Infineon
- InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
- レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：18 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：150 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：TO-220AB
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：150W
- 標準ゲートチャージ @Vgs：67 nC @ 10V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：541-0014
