63-4865-80　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　20　V　8.7　A　8　ピン　パッケージSOIC　IRF7401PBF

特徴

• NチャンネルパワーMOSFET　12→25　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：8.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：22　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最低ゲートしきい値電圧：0.7V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-12V,　+12V
• パッケージタイプ：SOIC
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：2.5W
• 動作温度mAx：+150°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：540-9834