63-4800-63 [取扱停止]Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 6.5 A 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) FDD3672
[ON Semiconductor] FDD3672 N-Channel MOSFET, 6.5 A, 100 V UltraFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor
- UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。
- このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。
- 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
- 用途:高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
仕様
- 入数:1袋(5個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:6.5 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:28 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V
- パッケージタイプ:DPAK (TO-252)
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:135W
- 寸法:6.73×5.59×2.39mm
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:463-4792