63-4765-08　［取扱停止］Nチャンネル　パワーMOSFET　100　V　56　A　3　ピン　パッケージTO-220AB　HUF75639P3

特徴

• UltraFET（R）　MOSFET、Fairchild　Semiconductor
• UItraFET（R）　Trench　MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。
• このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。
• 高い周波数、最低のRDS（on）、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
• 用途：高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：56A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：25　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：TO-220AB
• 実装タイプ：スルーホール
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：200W
• 高さ：9.4mm
• RoHS適合状況：未対応
• コード番号：329-1013