特徴
- スイッチング用途に最適な小型面実装パッケージTSMT6のパワーMOSFET
- 一般的な電子機器（AV 機器、OA 機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など）に使用可能
仕様
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：3A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
- パッケージタイプ：TSMT-6
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：135mΩ
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- ゲートしきい値電圧：1～2.5V
- 最大パワー消費：1.25W
- 最大ゲート-ソース間電圧：±12V
- 標準ゲートチャージ at Vgs：5.4nC at 10V
- 最高動作温度：+150℃
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- 長さ：3mm
- 幅：1.8mm
- 高さ：0.95mm
- 順方向ダイオード電圧：1.2V
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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