63-4682-67 [取扱停止]8Mbit SRAM メモリ 512 Kワードx16ビット 2.7 → 3.6 V 44-Pin 3.6 V RMLV0816BGSB-4S2#AA0
[Renesas Electronics] Renesas Electronics SRAM, RMLV0816BGSB-4S2#AA0- 8Mbit
特徴
- 低消費電力SRAM、RMLVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス
- RMLVシリーズの高性能アドバンスドSRAMは、高密度で低消費電流を実現し、スタンバイ消費電力が低く抑えられています。
- 2.7→3.6 Vシングル電源 アクセスタイム:45 ns (最大) アクセスタイムとサイクルタイムが同じ スリーステート出力の共通データ入力/出力 入力/出力はすべてTTL対応 バッテリバックアップ動作に最適
仕様
- 入数:1個
- メモリサイズ:8Mbit
- 構成:512 Kワード×16ビット
- ワード数:512K
- 1ワード当たりのビット数:16bit
- 最大ランダムアクセス時間:45ns
- アドレスバス幅:19bit
- ローパワー:あり
- 実装タイプ:表面実装
- パッケージタイプ:TSOP
- ピン数:44
- 寸法:18.54×10.29×1.05mm
- 高さ:1.05mm
- 動作温度mAx:+85°C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:126-6983