63-4682-13 Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 200 A 4 ピン パッケージSOT-227B IXFN200N10P
[IXYS] IXFN200N10P N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Polar HiPerFET, 4-Pin SOT-227B IXYS
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET（TM） Polar（TM）シリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET （高速固有ダイオード搭載） （HiPerFET（TM））
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：200 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.5 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：4
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：680W
- 標準ターンオフ遅延時間：150 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：125-8040
