特徴
- SiCショットキーバリアダイオード、ローム
- シリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオードは、総容量性電荷量が小さく、スイッチング損失が抑制され、高速スイッチング動作が可能になります。
仕様
- 入数：1個
- ダイオード構成：シングル
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- ピーク逆繰返し電圧：650V
- 実装タイプ：表面実装
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- ダイオードテクノロジー：SiCショットキー
- ピン数：3+Tab
- 最大順方向降下電圧：1.63V
- 長さ：10.1mm
- 幅：10.1mm
- 高さ：4.5mm
- ピーク逆回復時間：19ns
- パワー消費：100W
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：124-6849
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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