特徴
- NチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：190mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：10Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：3.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOT-23 （TO-236AB）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830mW
- 標準入力キャパシタンス @Vds：25 pF @ 10V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：112-5548
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|