63-4608-21　［取扱停止］4Mbit　SRAM　メモリ　256　Kワードｘ16ビット　2.7　→　3.6　V　44-Pin　3.6　V　R1LV0416DSB-5SI

特徴

• 低消費電力SRAM、R1LVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス
• R1LVシリーズのアドバンスド低消費電力SRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、及びバッテリバックアップが重要な設計目標となっているメモリ用途に適しています。
• 2.7→3.6　Vシングル電源　低スタンバイ電流　クロックなし、リフレッシュ不要　入力/出力はすべてTTL対応　スリーステート出力：OR結合対応

仕様

• 入数：1個
• メモリサイズ：4Mbit
• 構成：256　Kワード×16ビット
• ワード数：256K
• 1ワード当たりのビット数：16bit
• 最大ランダムアクセス時間：55ns
• アドレスバス幅：18bit
• ローパワー：あり
• タイミングタイプ：非シンクロナス
• 実装タイプ：表面実装
• パッケージタイプ：TSOP
• ピン数：44
• 寸法：18.41×10.16×1mm
• 高さ：1mm
• 動作温度　Min：-40°C
• RoHS適合状況：該当なし
• コード番号：380-476