63-4602-05　Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 760 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋（5個入）　IRLML5103TRPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　30　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。
• レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（5個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：760mA
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：600　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOT-23
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：540mW
• 動作温度mAx：+150°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：302-038