特徴
- NチャンネルMOSFET、100→150 V、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：540 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-10V, +10V
- パッケージタイプ：HVMDIP
- 実装タイプ：スルーホール
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.3W
- 標準ターンオフ遅延時間：16 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：301-338
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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