63-4601-92　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　100　V　38　A　3　ピン　パッケージD2PAK　（TO-263）　IRF5210SPBF

特徴

• PチャンネルパワーMOSFET　100　V→150　V、Infineon
• InfineonのディスクリートHEXFET（R）パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：38　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：60　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：3.1W
• 標準ターンオフ遅延時間：72　ns
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：301-271