63-4601-91　N+Pチャンネル　パワーMOSFET　30　V　2　A、2.7　A　8　ピン　パッケージMSOP　IRF7509TRPBF

特徴

• デュアルN/PチャンネルパワーMOSFET、Infineon
• InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET（R）デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。
• さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N,　P
• 最大連続ドレイン電流：2　A、2.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：30V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：110　mΩ,　200　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：1V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：MSOP
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：絶縁型
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.25W
• 動作温度mAx：+150°C
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：301-192