特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET（TM） Polar（TM）シリーズ
- IXYSのNチャンネルパワーMOSFET （高速固有ダイオード搭載） （HiPerFET（TM））
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：150 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：150V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20V, +20V
- パッケージタイプ：SOT-227B
- 実装タイプ：パネルマウント
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：680000mW
- 寸法：38.23×25.42×9.6mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：194-259
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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