63-4576-97　Pチャンネル 小信号 MOSFET 60 V 1.9 A 3+Tab ピン パッケージSOT-223 1袋（10個入）　BSP171PH6327XTSA1

特徴

• Infineon　SIPMOS（R）　PチャンネルMOSFET
• Infineon　SIPMOS　（R）　小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80　Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。
• SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・　AEC　Q101適合（データシートを参照してください）　・　無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1袋（10個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：1.9　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：300　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：2V
• 最低ゲートしきい値電圧：1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20V,　+20V
• パッケージタイプ：SOT-223
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：小信号
• 最大パワー消費：1.8W
• 寸法：6.5×3.5×1.6mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：167-942