仕様
- FETタイプMOSFET Nチャンネル、酸化金属
- FET機能論理レベルゲート
- ドレイン-ソース間電圧（Vdss）60V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）195A（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）2.5mΩ@170A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V@250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）300nC@10V
- Vds印加時の入力容量（Ciss）8970pF@50V
- 最大電力375W
- 実装タイプスルーホール
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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