仕様
- パッケージ:-
- タイプ:PNP
- R1:2.2KΩ
- R2:10KΩ
- VCEO:50V
- VEBO:-
- Ic:100mA
- Pc(Ta=25℃):-
- 直流電流増幅率(min):hFE:33(Ic=-10mA)
- コンプリ:-
- VI(off)(max):-
- VI(on)(min):-
- 備考:チップ
- トランジション周波数が大きいので増幅用として使用できます。
- パッケージがコンパクトなので、小型の設計に適しています。
- トランジスタの中にバイアス用の分圧抵抗(IN側)を内蔵。
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
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