特徴
- 東芝トランジスタ シリコンNPN三重拡散形（PCT方式）
- 高電圧スイッチング用
- 高電圧増幅用
- 小型パッケージで小型機器の設計に適しています。高耐圧です。：VCBO=200V（最大）、VCEO=200V（最大）
- パッケージ：SC-59
- Vceo：200V
- Ic：50mA
- Pc（Ta=25℃）：150mW
- Pc（Tc=25℃）（W）：-
- hFE：120～240
- fT（typ）：VCE=10V、IC=2mA
- コンプリメンタリ：2SA1255
- 用途：高電圧スイッチング用
- 備考：
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3109-76
低周波増幅用トランジスタ Vceo：30V
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63-3109-77
低周波増幅用トランジスタ Vceo：200V
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63-3109-72
低周波増幅用トランジスタ Vceo：-30V
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63-3109-75
低周波増幅用トランジスタ Vceo：120V
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63-3109-79
低周波増幅用トランジスタ Vceo：50V
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63-3109-78
低周波増幅用トランジスタ Vceo：120V
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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