特徴
- 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形（PCT方式）
- 小型パッケージで小型機器の設計に適しています。高耐圧です。電流増幅率が高い。hFEリニアリティが優れています。低雑音です。 NF=1dB（標準）,10dB（最大）
- パッケージ：S-Mini
- Vceo：120V
- Ic：100mA
- Pc（Ta=25℃）：150mW
- Pc（Tc=25℃）（W）：-
- hFE：200～400
- fT（typ）：100MHz
- コンプリメンタリ：2SA1163
- 用途：低周波増幅用、低周波低雑音用
- 備考：
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3109-76
低周波増幅用トランジスタ Vceo：30V
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63-3109-77
低周波増幅用トランジスタ Vceo：200V
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63-3109-75
低周波増幅用トランジスタ Vceo：120V
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63-3109-79
低周波増幅用トランジスタ Vceo：50V
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63-3109-78
低周波増幅用トランジスタ Vceo：120V
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63-3109-72
低周波増幅用トランジスタ Vceo：-30V
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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