特徴
- 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形（PCT方式）
- 電流増幅率の電流依存性が優れています。
- ：hFE（2）=25（最小）（VCE=-6V,Ic=-400mA）2SC2859とコンプリメンタリになります。
- パッケージ：S-Mini
- Vceo：-30V
- Ic：-500mA
- Pc（Ta=25℃）：150mW
- hFE（1）：400（最大）（VCE=-1V,IC=-100mA）
- hFE（2）：25（最小）（VCE=-6V,Ic=-400mA）
- fT（typ）：VCE=-6V,IC=-20mA
- コンプリメンタリ：2SC2859
- 用途：低周波小電力増幅用,励振段増幅用,スイッチング用
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
|---|---|
|
63-3109-76
低周波増幅用トランジスタ Vceo：30V
|
|
|
63-3109-77
低周波増幅用トランジスタ Vceo：200V
|
|
|
63-3109-72
低周波増幅用トランジスタ Vceo：-30V
|
|
|
63-3109-75
低周波増幅用トランジスタ Vceo：120V
|
|
|
63-3109-79
低周波増幅用トランジスタ Vceo：50V
|
|
|
63-3109-78
低周波増幅用トランジスタ Vceo：120V
|
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|