63-3083-67　［取扱停止］MOSFET（Qg：20nC・RoHS対応品）　IRF6645PBF

特徴

• スイッチング時間が速いので高速度スイッチング用として使用できます。
• オン抵抗が低く、ドレイン電流が小さいので発熱が少ない。

仕様

• パッケージ：DirectFET　SJ
• 構造：-
• VDSS：100V
• ID：25A
• Pc（Tc=25℃）：-
• VGS（OFF）：-
• Yfs（min）：-
• RDS（max）：35mΩ（Vgs=10V　ID=5.7A）
• Ciss：890pF（標準）（Vds=25V　f=1MHz）
• Ton：9.2ns（標準）（Vgs=10V　Id=3.4A）
• コンプリ：-
• 用途：-
• 入数：1個