仕様
- シリーズOptiMOS
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）25V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）39A（Ta）、100A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）64nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）4700pF @ 12V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.5W（Ta）、96W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）1ミリオーム @ 30A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージPG-TDSON-8
- パッケージ/ケース8-PowerTDFN
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3034-78
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
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63-3034-80
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
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63-3034-81
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
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63-3034-79
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
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63-3034-77
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
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63-3034-55
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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63-3034-63
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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63-3034-58
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
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63-3034-61
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
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63-3034-56
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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63-3034-57
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
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63-3034-62
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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