仕様
- FETタイプMOSFET Nチャンネル、酸化金属
- FET機能標準
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）800V
- 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）11A（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）450ミリオーム @ 7.1A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3.9V @ 680μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）85nC @ 10V
- Vds印加時の入力容量（Ciss）1600pF @ 100V
- 電力 - 最大41W
- 実装タイプスルーホール
- サプライヤデバイスパッケージPG-TO220-FP
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3034-67
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
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63-3034-68
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
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63-3034-69
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
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63-3034-66
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
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63-3034-52
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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