仕様
- FETタイプMOSFET Pチャンネル、酸化金属
- FET機能論理レベルゲート
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）30V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）5.1A（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）74ミリオーム @ 4.1A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）15nC @ 10V
- Vds印加時の入力容量（Ciss）450pF @ 15V
- 電力 - 最大3W
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージ6ピンTSOP
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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