仕様
- トランジスタタイプNPN
- 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）12V
- 周波数 - トランジション8GHz
- 雑音指数（fあたりのdB標準）1dB～1.6dB @ 900MHz～1.8GHz
- ゲイン10dB～15dB
- 電力 - 最大580mW
- Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）70 @ 30mA、8V
- 電流 - コレクタ（Ic）（最大）80mA
- 動作温度150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- パッケージ/ケースTO-236-3、SC-59、SOT-23-3
- サプライヤデバイスパッケージPG-SOT23-3
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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