仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）5.7A（Ta）、25A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4.9V @ 50μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）20nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）890pF @ 25V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.2W（Ta）、42W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）35ミリオーム @ 5.7A、10V
- 動作温度-40°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージDIRECTFET SJ
- パッケージ/ケースDirectFETアイソメトリックSJ
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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