仕様
- FETタイプMOSFET Pチャンネル、酸化金属
- FET機能標準
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）55V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）42A（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）20ミリオーム @ 42A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）180nC @ 10V
- Vds印加時の入力容量（Ciss）3500pF @ 25V
- 電力 - 最大170W
- 実装タイプスルーホール
- サプライヤデバイスパッケージTO-262
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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