仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプPチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）55V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）11A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）19nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）350pF @ 25V
- FET機能-
- 消費電力（最大）38W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）175ミリオーム @ 6.6A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージD-Pak
- パッケージ/ケースTO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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