仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプPチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）20V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）780mA（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）2.7V、4.5V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1.5V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）3.6nC @ 4.45V
- Vgs（最大）±12V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）97pF @ 15V
- FET機能-
- 消費電力（最大）540mW（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）600ミリオーム @ 610mA、4.5V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージMicro3/SOT-23
- パッケージ/ケースTO-236-3、SC-59、SOT-23-3
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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