63-3032-69　［取扱停止］ハイサイド・ゲートドライバ　IC　LTC4440ES6#TRPBF

特徴

• 高速、高電圧、ハイサイド・ゲート・ドライバ
• 【特長】広い動作入力電圧範囲：最大80V100Vの入力電圧トランジェントに耐える堅牢なアーキテクチャ強力な1.5Ωドライバによるプルダウン強力な2.4Aピーク電流ドライバによるプルアップ1000pFの負荷を駆動するときの立ち下がり時間：7ns1000pFの負荷を駆動するときの立ち上がり時間：10ns標準的なしきい値のMOSFETを駆動ヒステリシスのあるTTL/CMOS互換入力入力のしきい値は電源電圧と無関係低電圧ロックアウト高さの低い（1mm）SOT-23（ThinSOT）　および熱特性が改善された8ピンMSOPパッケージ入力電圧が最大80Vのアプリケーションで動作する高周波ハイサイドNチャネルMOSFETゲート・ドライバです。LTC4440は100Vの入力電圧トランジェントにも耐え、その間も引き続き動作することができます。強力なドライバ機能により、高いゲート容量をもつMOSFETのスイッチング損失を低減します。LTC4440のプルアップ回路のピーク出力電流は2.4Aで、プルダウン回路の出力インピーダンスは1.5Ωです。
• 電源電圧に依存しないTTL/CMOS互換の入力電圧しきい値を特長としており、そのヒステリシスは350mVです。入力ロジック信号はブートストラップされた電源電圧まで内部でレベルシフトされ、最大でグランドより115V高い電圧でも動作できます。
• ハイサイドとローサイド両方の低電圧ロックアウト回路を内蔵しており、これらの回路は作動すると外付けMOSFETをディスエーブルします。
• 【アプリケーション】通信機器用電源システム分散給電アーキテクチャサーバの電源高密度電源モジュール