仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）60V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）50A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2.5V @ 100μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）49nC @ 4.5V
- Vgs（最大）±16V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）3779pF @ 50V
- FET機能-
- 消費電力（最大）143W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）6.8ミリオーム @ 50A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージD-Pak
- パッケージ/ケースTO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3030-39
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
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63-3030-40
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
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63-3030-41
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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