仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）20V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）4.2A（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）2.5V、4.5V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1.2V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）12nC @ 5V
- Vgs（最大）±12V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）740pF @ 15V
- FET機能-
- 消費電力（最大）1.25W（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）45ミリオーム @ 4.2A、4.5V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージMicro3 /SOT-23
- パッケージ/ケースTO-236-3、SC-59、SOT-23-3
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
|---|---|
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63-3030-29
パワーMOSFET
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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