仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）20V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）1.2A（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）2.7V、4.5V
- Id印加時のVgs（th）（最大）700mV @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）3.9nC @ 4.5V
- Vgs（最大）±12V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）110pF @ 15V
- FET機能-
- 消費電力（最大）540mW（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）250ミリオーム @ 930mA、4.5V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージMicro3/SOT-23
- パッケージ/ケースTO-236-3、SC-59、SOT-23-3
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3030-30
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
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63-3030-28
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
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63-3030-24
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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