仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）180A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）2.5V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）130nC @ 4.5V
- Vgs（最大）±16V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）11360pF @ 50V
- FET機能-
- 消費電力（最大）370W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）4.3ミリオーム @ 110A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプスルーホール
- サプライヤデバイスパッケージTO-220AB
- パッケージ/ケースTO-220-3
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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