仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）150V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）195A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）5V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）120nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）5270pF @ 50V
- FET機能-
- 消費電力（最大）375W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）12.1ミリオーム @ 62A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージD2PAK
- パッケージ/ケースTO-263-3、D2Pak（2リード + タブ）、TO-263AB
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3030-10
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
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63-3030-11
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
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63-3030-08
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
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63-3030-07
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
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63-3030-09
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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