仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）55V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）17A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）20nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）370pF @ 25V
- FET機能-
- 消費電力（最大）45W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）75ミリオーム @ 10A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージD-Pak
- パッケージ/ケースTO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3029-92
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
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63-3029-91
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
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63-3029-97
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
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63-3029-98
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
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63-3029-99
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
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63-3029-93
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
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63-3029-95
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
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63-3029-94
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
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63-3029-96
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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