仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）100V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）57A（Tc）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）4V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）190nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）3000pF @ 25V
- FET機能-
- 消費電力（最大）200W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）25ミリオーム @ 28A、10V
- 動作温度-55°C～175°C（TJ）
- 実装タイプスルーホール
- サプライヤデバイスパッケージTO-247AC
- パッケージ/ケースTO-247-3
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|