特徴
- IRF9321は、導通とスイッチングのロスを低減するために、ON抵抗とゲートチャージ電荷量を同時に最適化したスイッチング用のPチャンネルパワーMOSFETです。8ピンの表面実装タイプSO-8パッケージを採用し、ソースに3ピン、ゲートに1ピン、ドレインに4ピンを使用しています。
- デバイス名のサフィックスTRはテープとリールによる供給品であることを、PBFはRoHS対応品(Pbフリー)を示しています。
- 主な仕様
- ドレイン-ソース間電圧:-30V(max)
- ゲート-ソース間電圧:±20V(max)
- ドレイン電流:-15A(max)
- ゲートチャージ電荷量:34nC(typ)
- ゲート抵抗:18Ω(max)
- 許容損失:2.5W(max)
- ON抵抗(VGS=-10V):7.2mΩ(max)
- ON抵抗(VGS=-4.5V):11.2mΩ(max)
- 使用温度範囲:-55~+150℃
- パッケージ:SO-8
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
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