63-3029-59　［取扱停止］NチャンネルパワーMOSFET　IRF8707TRPBF

特徴

• IRF8707は、導通とスイッチングのロスを低減するために、ON抵抗とゲートチャージ電荷量を同時に最適化したスイッチング用のNチャンネルパワーMOSFETです。8ピンの表面実装タイプSO-8パッケージを採用し、ソースに3端子、ゲートに1端子、ドレインに4端子を使用しています。
• デバイス名のサフィックスTRはテープとリールによる供給品であることを、PBFはRoHS対応品（Pbフリー）を示しています。
• 主な仕様
• ドレイン-ソース間電圧：30V（max）
• ゲート-ソース間電圧：±20V（max）
• ドレイン電流：11A（max）
• ゲートチャージ電荷量：6.2nC（typ）
• ゲート抵抗：3.7Ω（max）
• 許容損失：2.5W（max）
• ON抵抗（VGS=10V）：11.9mΩ（max）
• 使用温度範囲：-55～+150℃
• パッケージ：SO-8