仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプNチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）30V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）13.6A（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）14nC @ 4.5V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）1010pF @ 15V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.5W（Ta）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）9.1ミリオーム @ 13A、10V
- 動作温度-55°C～155°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージ8-SO
- パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3029-54
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
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63-3029-56
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
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63-3029-57
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
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63-3029-58
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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