仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプ2Nチャンネル（デュアル）
- FET機能論理レベルゲート
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）55V
- 電流 - 33°Cでの連続ドレイン（Id）4.7A
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）50ミリオーム @ 4.7A、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）1V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）36nC @ 10V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）740pF @ 25V
- 電力 - 最大2W
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- サプライヤデバイスパッケージ8-SO
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3029-45
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
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63-3029-47
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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63-3029-46
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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63-3029-49
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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63-3029-48
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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63-3029-51
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
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63-3029-50
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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