仕様
- シリーズHEXFET
- FETタイプPチャンネル
- 技術MOSFET（金属酸化物）
- ドレイン～ソース間電圧（Vdss）30V
- 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）4.6A（Ta）
- 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
- Id印加時のVgs（th）（最大）3V @ 250μA
- Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）40nC @ 10V
- Vgs（最大）±20V
- Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）870pF @ 10V
- FET機能-
- 消費電力（最大）2.5W（Tc）
- Id、Vgs印加時のRds On（最大）70ミリオーム @ 4.6A、10V
- 動作温度-55°C～150°C（TJ）
- 実装タイプ面実装
- サプライヤデバイスパッケージ8-SO
- パッケージ/ケース8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
商品のバリエーション （サイズ違い・スペック違い・オプション品など）
| 商品イメージ | アズワン品番 商品名 |
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63-3029-45
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
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63-3029-47
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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63-3029-50
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
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63-3029-48
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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63-3029-49
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
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63-3029-46
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
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63-3029-51
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
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よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
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