63-3029-41　［取扱停止］パワーMOSFET　IRF5803TRPBF

仕様

• シリーズHEXFET
• FETタイプPチャンネル
• 技術MOSFET（金属酸化物）
• ドレイン～ソース間電圧（Vdss）40V
• 電流　-　25°Cでの連続ドレイン（Id）3.4A（Ta）
• 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）4.5V、10V
• Id印加時のVgs（th）（最大）3V　@　250μA
• Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）37nC　@　10V
• Vgs（最大）±20V
• Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）1110pF　@　25V
• FET機能-
• 消費電力（最大）2W（Ta）
• Id、Vgs印加時のRds　On（最大）112ミリオーム　@　3.4A、10V
• 動作温度-55°C～150°C（TJ）
• 実装タイプ面実装
• サプライヤデバイスパッケージMicro6（TSOP-6）
• パッケージ/ケースSOT-23-6薄型、TSOT-23-6